Infineon OptiMOS™ -T2 N-Channel MOSFET, 90 A, 30 V, 3-Pin DPAK IPD90N03S4L03ATMA1

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 1.370,00

(excl. BTW)

€ 1.657,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 +€ 0,548€ 1.370,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
166-1127
Fabrikantnummer:
IPD90N03S4L03ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

90 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

OptiMOS™ -T2

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

4.4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

94 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +16 V

Width

6.22mm

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

60 nC @ 10 V

Height

2.3mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.3V

N.v.t.

Land van herkomst:
MY

Gerelateerde Links