Infineon OptiMOS™ -T2 N-Channel MOSFET, 90 A, 30 V, 3-Pin DPAK IPD90N03S4L03ATMA1

Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk
RS-stocknr.:
166-1127
Fabrikantnummer:
IPD90N03S4L03ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

90 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Series

OptiMOS™ -T2

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

4.4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

94 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +16 V

Width

6.22mm

Number of Elements per Chip

1

Length

6.5mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

60 nC @ 10 V

Forward Diode Voltage

1.3V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

2.3mm

N.v.t.

Land van herkomst:
MY

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.