Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 90 A, 40 V, 3-Pin DPAK IPD036N04LGBTMA1

Bekijk alle MOSFETs
Niet beschikbaar
RS heeft dit product niet meer op voorraad.
Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
825-9364
Fabrikantnummer:
IPD036N04LGBTMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

90 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Series

OptiMOS™ 3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

4.9 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

94 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.73mm

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

59 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Width

6.22mm

Height

2.41mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Land van herkomst:
MY

Gerelateerde Links