Nexperia BST82 N-Channel MOSFET, 190 mA, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- RS-stocknr.:
- 166-1262
- Fabrikantnummer:
- BST82,215
- Fabrikant:
- Nexperia
Subtotaal (3000 eenheden, op een rol van 3000)*
€ 267,00
(excl. BTW)
€ 324,00
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00
Tijdelijk niet op voorraad
- Verzending 3.000 stuk(s) vanaf 10 februari 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per rol* |
|---|---|---|
| 3000 + | € 0,089 | € 267,00 |
*prijsindicatie
Alternatief
Dit product is momenteel niet beschikbaar. Hierbij onze aanbeveling voor een alternatief product.
Elk (op een haspel van 3000)
€ 294,00
(excl. BTW)
€ 355,74
(incl. BTW)
- RS-stocknr.:
- 166-1262
- Fabrikantnummer:
- BST82,215
- Fabrikant:
- Nexperia
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Nexperia | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 190mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | BST82 | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 10Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Minimum Operating Temperature | -65°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 830mW | |
| Forward Voltage Vf | -1.6V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 1.4mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1mm | |
| Length | 3mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Nexperia | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 190mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series BST82 | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 10Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Minimum Operating Temperature -65°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 830mW | ||
Forward Voltage Vf -1.6V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 1.4mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1mm | ||
Length 3mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MOSFET, 100V and Higher, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Gerelateerde Links
- Nexperia BST82 N-Channel MOSFET 100 V Enhancement215
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS119NH6327XTSA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS123NH6433XTMA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS123NH6327XTSA1
- Nexperia N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 NX7002BKR
- Nexperia N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 PMV55ENEAR
- Nexperia N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 PMV28UNEAR