Toshiba Type N-Channel MOSFET, 65 A, 60 V Enhancement, 8-Pin TSON TPN14006NH,L1Q(M

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 4,82

(excl. BTW)

€ 5,83

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 1.790 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 +€ 0,482€ 4,82

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
171-2385
Fabrikantnummer:
TPN14006NH,L1Q(M
Fabrikant:
Toshiba
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Toshiba

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

65A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TSON

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

41mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

-1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15nC

Maximum Power Dissipation Pd

30W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

0.85mm

Length

3.1mm

Width

3.1 mm

Automotive Standard

No

Vrijgesteld

Switching Voltage Regulators

Motor Drivers

DC-DC Converters

High-speed switching

Small gate charge: QSW = 5.5 nC (typ.)

Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 11 mΩ (typ.)

Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 60 V)

Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)

Gerelateerde Links