Fabrikantnummer

Toshiba TPH1R306PL Type N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOP TPH1R306PL,L1Q(M

RS-stocknr.:: 206-9790
Fabrikantnummer:: TPH1R306PL,L1Q(M
Fabrikant:: Toshiba

Toshiba TPH1R306PL Type N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOP TPH1R306PL,L1Q(M

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 14,57

(excl. BTW)

€ 17,63

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Op voorraad

3.830 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk	Per verpakking*
5 - 45	€ 2,914	€ 14,57
50 - 495	€ 2,27	€ 11,35
500 - 995	€ 1,852	€ 9,26
1000 - 2495	€ 1,816	€ 9,08
2500 +	€ 1,79	€ 8,95

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 206-9790
Fabrikantnummer:: TPH1R306PL,L1Q(M
Fabrikant:: Toshiba

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Toshiba
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	TPH1R306PL
	Package Type	SOP
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.3Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	91nC
	Maximum Power Dissipation Pd	170W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	6mm
	Height	0.9mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Toshiba
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series TPH1R306PL
	Package Type SOP
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.3Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 91nC
	Maximum Power Dissipation Pd 170W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 6mm
	Height 0.9mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - TPH1R306PL,L1Q(M

The Toshiba silicon N-channel MOSFET having high-speed switching properties. It is mainly used in high-efficiency DC-DC converters, switching voltage regulators and motor drivers.

Low drain-source on-resistance 1.0 m?

Storage temperature -55 to 175°C

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.