Toshiba Dual 2 N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 SSM6N7002KFU

Momenteel niet beschikbaar
Sorry, we weten niet wanneer dit weer voorradig zal zijn.
RS-stocknr.:
171-2410
Fabrikantnummer:
SSM6N7002KFU
Fabrikant:
Toshiba
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Toshiba

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

300mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOT-363

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.75Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

500mW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.39nC

Minimum Operating Temperature

150°C

Forward Voltage Vf

-0.79V

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.9mm

Length

2mm

Standards/Approvals

No

Width

1.25mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

Land van herkomst:
TH
High-Speed Switching

Low drain-source on-resistance

RDS(ON) = 1.05 Ω (typ.) (@VGS = 10 V)

RDS(ON) = 1.15 Ω (typ.) (@VGS = 5.0 V)

RDS(ON) = 1.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V)

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.