Toshiba Dual 2 Type N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-363

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 132,00

(excl. BTW)

€ 159,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 27 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 - 3000€ 0,044€ 132,00
6000 - 6000€ 0,04€ 120,00
9000 +€ 0,038€ 114,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
171-2410
Fabrikantnummer:
SSM6N7002KFU
Fabrikant:
Toshiba
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Toshiba

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

300mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOT-363

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.75Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

-0.79V

Maximum Power Dissipation Pd

500mW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

150°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.39nC

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

2mm

Width

1.25 mm

Height

0.9mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

Land van herkomst:
TH
High-Speed Switching

Low drain-source on-resistance

RDS(ON) = 1.05 Ω (typ.) (@VGS = 10 V)

RDS(ON) = 1.15 Ω (typ.) (@VGS = 5.0 V)

RDS(ON) = 1.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V)

Gerelateerde Links