Toshiba Dual N-Channel MOSFET, 400 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 T2N7002BK
- RS-stocknr.:
- 171-2411
- Fabrikantnummer:
- T2N7002BK
- Fabrikant:
- Toshiba
Bulkkorting beschikbaar
Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*
€ 60,00
(excl. BTW)
€ 60,00
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 75,00
Op voorraad
- 6.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per rol* |
---|---|---|
3000 - 3000 | € 0,02 | € 60,00 |
6000 - 6000 | € 0,019 | € 57,00 |
9000 + | € 0,018 | € 54,00 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 171-2411
- Fabrikantnummer:
- T2N7002BK
- Fabrikant:
- Toshiba
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
---|---|---|
Merk | Toshiba | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 400 mA | |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V | |
Package Type | SOT-23 | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Pin Count | 3 | |
Maximum Drain Source Resistance | 1.75 Ω | |
Channel Mode | Enhancement | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.1V | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V | |
Maximum Power Dissipation | 1 W | |
Maximum Gate Source Voltage | ±20 V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Number of Elements per Chip | 2 | |
Width | 1.3mm | |
Length | 2.9mm | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 0.39 nC @ 4.5 V | |
Height | 0.9mm | |
Forward Diode Voltage | 1.1V | |
Alles selecteren | ||
---|---|---|
Merk Toshiba | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current 400 mA | ||
Maximum Drain Source Voltage 60 V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mounting Type Surface Mount | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance 1.75 Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Threshold Voltage 2.1V | ||
Minimum Gate Threshold Voltage 1.1V | ||
Maximum Power Dissipation 1 W | ||
Maximum Gate Source Voltage ±20 V | ||
Maximum Operating Temperature +150 °C | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Width 1.3mm | ||
Length 2.9mm | ||
Typical Gate Charge @ Vgs 0.39 nC @ 4.5 V | ||
Height 0.9mm | ||
Forward Diode Voltage 1.1V | ||
Gerelateerde Links
- Toshiba Dual N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-23 T2N7002BK
- Toshiba Dual N-Channel MOSFET 60 V, 6-Pin SOT-363 SSM6N7002KFU
- Toshiba Silicon N-Channel MOSFET 60 VLM(T
- onsemi Dual N/P-Channel MOSFET 510 mA 6-Pin SOT-23 NDC7001C
- ROHM N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-23 BSS138BKAHZGT116
- onsemi PowerTrench Dual P-Channel MOSFET 60 V, 6-Pin SOT-23 NDC7003P
- Toshiba Dual N-Channel MOSFET 20 V, 6-Pin SOT-563 SSM6N35FE
- Toshiba Dual Silicon N-Channel MOSFET 60 VLF(T