Toshiba Type N-Channel MOSFET, 400 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 66,00

(excl. BTW)

€ 81,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 6.000 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 - 3000€ 0,022€ 66,00
6000 - 6000€ 0,021€ 63,00
9000 +€ 0,02€ 60,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
171-2411
Fabrikantnummer:
T2N7002BK
Fabrikant:
Toshiba
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Toshiba

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

400mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.75Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.39nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

1W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

-0.79V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

2.9mm

Standards/Approvals

No

Height

0.9mm

Width

1.3 mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
TH
High-Speed Switching

ESD(HBM) level 2 kV

Low drain-source on-resistance

RDS(ON) = 1.05 Ω (typ.) (@VGS = 10 V)

RDS(ON) = 1.15 Ω (typ.) (@VGS = 5.0 V)

RDS(ON) = 1.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V)

Gerelateerde Links