Toshiba Type N-Channel MOSFET, 2 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SSM3K339R

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 50 eenheden)*

€ 7,20

(excl. BTW)

€ 8,70

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 1.200 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
  • Plus verzending 16.800 stuk(s) vanaf 08 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
50 - 100€ 0,144€ 7,20
150 - 450€ 0,121€ 6,05
500 - 950€ 0,104€ 5,20
1000 +€ 0,089€ 4,45

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
171-2471
Fabrikantnummer:
SSM3K339R
Fabrikant:
Toshiba
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Toshiba

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

390mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.1nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

1.8 mm

Height

0.7mm

Length

2.9mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
TH
Power Management Switches

DC-DC Converters

1.8-V gate drive voltage.

Low drain-source on-resistance

RDS(ON) = 145 mΩ (typ.) (@VGS = 8.0 V, ID = 1.0 A)

RDS(ON) = 155 mΩ (typ.) (@VGS = 4.5 V, ID = 1.0 A)

RDS(ON) = 160 mΩ (typ.) (@VGS = 3.6 V, ID = 1.0 A)

RDS(ON) = 180 mΩ (typ.) (@VGS = 2.5 V, ID = 0.5 A)

RDS(ON) = 220 mΩ (typ.) (@VGS = 1.8 V, ID = 0.2 A)

Gerelateerde Links