Vishay IRF Type N-Channel MOSFET, 14 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- RS-stocknr.:
- 178-0830
- Fabrikantnummer:
- IRF644SPBF
- Fabrikant:
- Vishay
Bulkkorting beschikbaar
Subtotaal (1 tube van 50 eenheden)*
€ 99,30
(excl. BTW)
€ 120,15
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 75,00
Tijdelijk niet op voorraad
- 1.100 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,986 | € 99,30 |
| 100 - 200 | € 1,708 | € 85,40 |
| 250 + | € 1,588 | € 79,40 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 178-0830
- Fabrikantnummer:
- IRF644SPBF
- Fabrikant:
- Vishay
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 14A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 250V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | IRF | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 280mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.1W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 68nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.8V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.67mm | |
| Height | 4.83mm | |
| Width | 9.65 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 14A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 250V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series IRF | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 280mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.1W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 68nC | ||
Forward Voltage Vf 1.8V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.67mm | ||
Height 4.83mm | ||
Width 9.65 mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Gerelateerde Links
- Vishay N-Channel MOSFET 250 V, 3-Pin D2PAK IRF644SPBF
- Vishay N-Channel MOSFET 250 V, 3-Pin D2PAK SIHF634S-GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin D2PAK SIHF530STRR-GE3
- Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET 40 V, 7-Pin D2PAK SQM40016EM_GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 250 V, 3-Pin D2PAK SUM45N25-58-E3
- Vishay N-Channel MOSFET 250 V, 3-Pin TO-220AB IRF644PBF
- Vishay N-Channel MOSFET 200 V D2PAK IRF610SPBF
- Vishay N-Channel MOSFET 400 V D2PAK IRF740ASPBF
