Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 60 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 1.092,00

(excl. BTW)

€ 1.320,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 12.000 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,364€ 1.092,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
178-3701
Fabrikantnummer:
SiSS12DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay Siliconix
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay Siliconix

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

59nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

3.15mm

Width

3.15 mm

Height

1.07mm

Automotive Standard

No

Vrijgesteld

Land van herkomst:
CN
TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS(on) in a compact and thermally enhanced package

Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss

Gerelateerde Links