Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 60 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS12DN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 9,65

(excl. BTW)

€ 11,68

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 14.910 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 0,965€ 9,65
100 - 490€ 0,822€ 8,22
500 - 990€ 0,722€ 7,22
1000 +€ 0,629€ 6,29

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
178-3920
Fabrikantnummer:
SiSS12DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay Siliconix
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay Siliconix

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

59nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

3.15mm

Height

1.07mm

Width

3.15 mm

Automotive Standard

No

Vrijgesteld

Land van herkomst:
CN
TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS(on) in a compact and thermally enhanced package

Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss

Gerelateerde Links