Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 14.2 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiS110DN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*

€ 10,70

(excl. BTW)

€ 12,95

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 06 juli 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
25 +€ 0,428€ 10,70

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
178-3962
Fabrikantnummer:
SiS110DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay Siliconix
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay Siliconix

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

14.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

70mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

24W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8.5nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.15 mm

Standards/Approvals

No

Length

3.15mm

Height

1.07mm

Automotive Standard

No

Vrijgesteld

Land van herkomst:
CN
TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

Gerelateerde Links