Vishay Siliconix Dual TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 1.071,00

(excl. BTW)

€ 1.296,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • 3.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,357€ 1.071,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
178-3702
Fabrikantnummer:
SiZ348DT-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay Siliconix
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay Siliconix

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAIR 3 x 3

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

10mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12.1nC

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

16.7W

Maximum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Dual

Width

3 mm

Height

0.75mm

Standards/Approvals

No

Length

3mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Vrijgesteld

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

High side and low side MOSFETs form optimized combination for 50 % duty cycle

Optimized RDS - Qg and RDS - Qgd FOM elevates efficiency for high frequency switching

Gerelateerde Links