Fabrikantnummer

Vishay Siliconix Dual TrenchFET 2 N-Channel Power MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 SiZ348DT-T1-GE3

RS-stocknr.:: 178-3702
Fabrikantnummer:: SiZ348DT-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix Dual TrenchFET 2 N-Channel Power MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 SiZ348DT-T1-GE3

Momenteel niet beschikbaar

We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.

RS-stocknr.:: 178-3702
Fabrikantnummer:: SiZ348DT-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay Siliconix

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Vishay Siliconix
	Channel Type	N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	PowerPAIR 3 x 3
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	10mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-16V, +20V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	16.7W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	12.1nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	+150°C
	Transistor Configuration	Dual
	Width	3mm
	Length	3mm
	Standards/Approvals	No
	Height	0.75mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Vishay Siliconix
	Channel Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type PowerPAIR 3 x 3
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 10mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -16V, +20V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 16.7W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12.1nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature +150°C
	Transistor Configuration Dual
	Width 3mm
	Length 3mm
	Standards/Approvals No
	Height 0.75mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Datasheet

Vrijgesteld

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

High side and low side MOSFETs form optimized combination for 50 % duty cycle

Optimized RDS - Qg and RDS - Qgd FOM elevates efficiency for high frequency switching

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.