Vishay Dual TrenchFET 2 N-Channel MOSFET, 69.3 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3S SiZ340BDT-T1-GE3

Momenteel niet beschikbaar
Sorry, we weten niet wanneer dit weer voorradig zal zijn.
RS-stocknr.:
228-2938
Fabrikantnummer:
SiZ340BDT-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

69.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAIR 3 x 3S

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00856Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

31W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8.4nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual

Standards/Approvals

RoHS

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The Vishay Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.