Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 257 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5F SiZF906BDT-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 10,00

(excl. BTW)

€ 12,10

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 5.315 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 2,00€ 10,00
50 - 120€ 1,70€ 8,50
125 - 245€ 1,598€ 7,99
250 - 495€ 1,502€ 7,51
500 +€ 1,40€ 7,00

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
228-2941
Fabrikantnummer:
SiZF906BDT-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

257A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAIR 6 x 5F

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0021Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

83W

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The Vishay Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links