Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 15.2 A, 200 V Enhancement, 8-Pin TDSON

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 5000 eenheden)*

€ 3.045,00

(excl. BTW)

€ 3.685,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 14 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
5000 +€ 0,609€ 3.045,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
178-7500
Fabrikantnummer:
BSC900N20NS3GATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

15.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Series

OptiMOS 3

Package Type

TDSON

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

90mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

9nC

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.1mm

Length

6.1mm

Standards/Approvals

No

Width

5.35 mm

Automotive Standard

No

Vrijgesteld

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Gerelateerde Links