Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 7 A, 200 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC22DN20NS3GATMA1

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 20 eenheden)*

€ 11,86

(excl. BTW)

€ 14,36

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 9.980 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
20 +€ 0,593€ 11,86

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
825-9146
Fabrikantnummer:
BSC22DN20NS3GATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

TDSON

Series

OptiMOS 3

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

225mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.2nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Power Dissipation Pd

34W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

6.35 mm

Length

5.35mm

Height

1.1mm

Automotive Standard

No

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Gerelateerde Links