Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 15.2 A, 200 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC900N20NS3GATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 11,42

(excl. BTW)

€ 13,82

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 10 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 40€ 1,142€ 11,42
50 - 90€ 1,086€ 10,86
100 - 240€ 1,04€ 10,40
250 - 490€ 0,994€ 9,94
500 +€ 0,63€ 6,30

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
906-4400
Fabrikantnummer:
BSC900N20NS3GATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

15.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Series

OptiMOS 3

Package Type

TDSON

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

90mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

9nC

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.1mm

Length

6.1mm

Standards/Approvals

No

Width

5.35 mm

Automotive Standard

No

Vrijgesteld

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Gerelateerde Links