Fabrikantnummer

Vishay Single 1 Type N-Channel MOSFET, 7.7 A, 100 V, 3-Pin IRFU120PBF

RS-stocknr.:: 180-8800
Fabrikantnummer:: IRFU120PBF
Fabrikant:: Vishay

Vishay Single 1 Type N-Channel MOSFET, 7.7 A, 100 V, 3-Pin IRFU120PBF

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 8,33

(excl. BTW)

€ 10,08

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Op voorraad

2.410 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk	Per verpakking*
10 - 90	€ 0,833	€ 8,33
100 - 240	€ 0,781	€ 7,81
250 - 490	€ 0,749	€ 7,49
500 - 990	€ 0,666	€ 6,66
1000 +	€ 0,625	€ 6,25

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 180-8800
Fabrikantnummer:: IRFU120PBF
Fabrikant:: Vishay

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	7.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Mount Type	Surface, Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.27Ω
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	42W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	16nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	Directive 2011/65/EU, RoHS, JEDEC JS709A
	Number of Elements per Chip	1
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 7.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Mount Type Surface, Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.27Ω
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 42W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Transistor Configuration Single
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals Directive 2011/65/EU, RoHS, JEDEC JS709A
	Number of Elements per Chip 1
	Automotive Standard No

Datasheet

Land van herkomst:: CN

The Vishay IRFU120 is a N-channel power MOSFET having drain to source(Vds) voltage of 100V.The gate to source voltage(VGS) is 20V. It is having DPAK (TO-252) and IPAK (TO-251) package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0..27ohms at 10VGS.

Dynamic dV/dt rating

Repetitive avalanche rated

Surface mount

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.