Fabrikantnummer

onsemi N-Channel MOSFET, 477 A, 60 V Enhancement, 8-Pin DFN NVMTS0D7N06CLTXG

RS-stocknr.:: 185-9234
Fabrikantnummer:: NVMTS0D7N06CLTXG
Fabrikant:: onsemi

onsemi N-Channel MOSFET, 477 A, 60 V Enhancement, 8-Pin DFN NVMTS0D7N06CLTXG

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (2 eenheden, in een pakket van 2)*

€ 21,66

(excl. BTW)

€ 26,20

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Tekort aan aanbod

Wegens beperkingen in de bevoorradingsketen worden de voorraden toegewezen naarmate zij beschikbaar komen.

Aantal stuks	Per stuk	Per verpakking*
2 - 18	€ 10,83	€ 21,66
20 - 198	€ 9,335	€ 18,67
200 +	€ 8,095	€ 16,19

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 185-9234
Fabrikantnummer:: NVMTS0D7N06CLTXG
Fabrikant:: onsemi

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	477A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	DFN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	900μΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	225nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	294.6W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	8.1mm
	Width	8mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.15mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Alles selecteren
	Merk onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 477A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type DFN
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 900μΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 225nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 294.6W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 8.1mm
	Width 8mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.15mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet NVMTS0D7N06CLTXG

Niet conform

Land van herkomst:: PH

Automotive Power MOSFET in a 8x8mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

Small Footprint (8x8 mm)

Low RDS(on)

Low QG and Capacitance

Wettable Flank Option

PPAP Capable

Compact Design

Minimize Conduction Losses

Minimize Driver Losses

Enhanced Optical Inspection

Applications

Reverser Battery protection

Switching power supplies

Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)

End Products

Motor Control – EPS, Wipers, Fans, Seats, etc.

Load Switch – ECU, Chassis, Body

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.