Vishay SiSS61DN Type P-Channel MOSFET, 111.9 A, 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 1.194,00

(excl. BTW)

€ 1.446,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 19 augustus 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,398€ 1.194,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
188-4905
Fabrikantnummer:
SiSS61DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

111.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

SiSS61DN

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

9.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Maximum Power Dissipation Pd

65.8W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

154nC

Forward Voltage Vf

-1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.3mm

Standards/Approvals

No

Height

0.78mm

Width

3.3 mm

Automotive Standard

No

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen III p-channel power MOSFET

Leadership RDS(on) in compact and thermally enhanced package

Gerelateerde Links