Vishay SiSS61DN Type P-Channel MOSFET, 111.9 A, 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS61DN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 9,73

(excl. BTW)

€ 11,77

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 21 december 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 0,973€ 9,73
100 - 240€ 0,925€ 9,25
250 - 490€ 0,70€ 7,00
500 - 990€ 0,631€ 6,31
1000 +€ 0,583€ 5,83

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
188-5117
Artikelnummer Distrelec:
304-32-537
Fabrikantnummer:
SiSS61DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

111.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

SiSS61DN

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

9.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

-1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

154nC

Maximum Power Dissipation Pd

65.8W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.78mm

Standards/Approvals

No

Length

3.3mm

Automotive Standard

No

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen III p-channel power MOSFET

Leadership RDS(on) in compact and thermally enhanced package

Gerelateerde Links