Vishay SiSS61DN Type P-Channel MOSFET, 111.9 A, 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS61DN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 8,57

(excl. BTW)

€ 10,37

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 26 november 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 0,857€ 8,57
100 - 240€ 0,815€ 8,15
250 - 490€ 0,616€ 6,16
500 - 990€ 0,556€ 5,56
1000 +€ 0,514€ 5,14

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
188-5117
Artikelnummer Distrelec:
304-32-537
Fabrikantnummer:
SiSS61DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

111.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

SiSS61DN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

9.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

-1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

154nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

65.8W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

0.78mm

Length

3.3mm

Automotive Standard

No

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen III p-channel power MOSFET

Leadership RDS(on) in compact and thermally enhanced package

Gerelateerde Links