Vishay SiSS61DN Type P-Channel MOSFET, 111.9 A, 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS61DN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 8,10

(excl. BTW)

€ 9,80

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 17 augustus 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 0,81€ 8,10
100 - 240€ 0,77€ 7,70
250 - 490€ 0,582€ 5,82
500 - 990€ 0,526€ 5,26
1000 +€ 0,486€ 4,86

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
188-5117
Fabrikantnummer:
SiSS61DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

111.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

SiSS61DN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

9.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

154nC

Maximum Power Dissipation Pd

65.8W

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

3.3mm

Height

0.78mm

Width

3.3 mm

Distrelec Product Id

304-32-537

Automotive Standard

No

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen III p-channel power MOSFET

Leadership RDS(on) in compact and thermally enhanced package

Gerelateerde Links