Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 23 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 879,00

(excl. BTW)

€ 1.065,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 3.000 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,293€ 879,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
919-4299
Fabrikantnummer:
SISS27DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

23A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

92nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

-1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

57W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.3mm

Height

0.78mm

Width

3.3 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links