STMicroelectronics STD5N Type N-Channel MOSFET, 3.5 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 1.137,50

(excl. BTW)

€ 1.377,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 29 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 +€ 0,455€ 1.137,50

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
193-5388
Fabrikantnummer:
STD5N60DM2
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

3.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-252

Series

STD5N

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.55Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

45W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.6V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.3nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.6mm

Height

2.2mm

Standards/Approvals

No

Width

6.2 mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Fast-recovery body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

Low on-resistance

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

Gerelateerde Links