STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD13N60DM2

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 8,30

(excl. BTW)

€ 10,05

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 2.480 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 +€ 1,66€ 8,30

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
188-8407
Fabrikantnummer:
STD13N60DM2
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

11A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

360mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.6V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Maximum Power Dissipation Pd

110W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12.5nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

2.17mm

Width

6.2 mm

Length

6.6mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast-recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Fast-recovery body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

Low on-resistance

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

Applications

Switching applications

Gerelateerde Links