STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 100 A, 1200 V Depletion, 7-Pin H2PAK SCTW100N65G2AG

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 26,78

(excl. BTW)

€ 32,40

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 02 november 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 4€ 26,78
5 - 9€ 26,10
10 +€ 25,45

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
202-5486
Fabrikantnummer:
SCTW100N65G2AG
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

SCT

Package Type

H2PAK

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.105Ω

Channel Mode

Depletion

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

162nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

420W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Forward Voltage Vf

2.8V

Maximum Operating Temperature

200°C

Standards/Approvals

No

Height

34.95mm

Width

5.15 mm

Length

15.75mm

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics automotive-grade silicon carbide power MOSFET has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

Gerelateerde Links