onsemi NTB Type N-Channel MOSFET, 60 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBG040N120SC1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 89,80

(excl. BTW)

€ 108,65

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tekort aan aanbod
  • Plus verzending 725 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Onze huidige voorraad is beperkt en onze leveranciers verwachten tekorten.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 17,96€ 89,80
50 +€ 15,48€ 77,40

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
202-5690
Fabrikantnummer:
NTBG040N120SC1
Fabrikant:
onsemi
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

NTB

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

40mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

106nC

Maximum Power Dissipation Pd

357W

Forward Voltage Vf

3.7V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

15.7mm

Width

4.7 mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

10.2mm

Automotive Standard

No

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK−7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L


The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 60 Ampere and 1200 Volts. It can be used in uninterruptible power supply, DC or DC converter, Boost inverter.

40mO drain to source on resistance

Ultra low gate charge

100% avalanche tested

Pb free

RoHS compliant

Gerelateerde Links