onsemi NTB Type N-Channel MOSFET, 58 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 800 eenheden)*

€ 9.393,60

(excl. BTW)

€ 11.366,40

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 25 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
800 - 800€ 11,742€ 9.393,60
1600 - 1600€ 11,507€ 9.205,60
2400 +€ 11,272€ 9.017,60

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
254-7660
Fabrikantnummer:
NTBG022N120M3S
Fabrikant:
onsemi
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

58A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

TO-263

Series

NTB

Mount Type

Through Hole

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

22mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

4.5V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

148nC

Maximum Power Dissipation Pd

117W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L


The ON Semiconductor NTB series of planar sic mosfets is optimized for fast switching applications with a planar technology works reliably with negative gate voltage drive and turn off spikes on the gate. This family has optimum performance when driven with 18V gate drive but also works well with 15V gate drive.

100% avalanche tested

Improved power density

Gate drive voltage 15V to 18V

Gerelateerde Links