Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Enhancement, 8-Pin VSONP
- RS-stocknr.:
- 208-8482P
- Fabrikantnummer:
- CSD18543Q3A
- Fabrikant:
- Texas Instruments
Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkortingSubtotaal 50 eenheden (geleverd op een doorlopende strip)*
€ 36,15
(excl. BTW)
€ 43,75
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00
Op voorraad
- 75 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk |
|---|---|
| 50 - 75 | € 0,723 |
| 100 - 225 | € 0,536 |
| 250 - 975 | € 0,517 |
| 1000 + | € 0,393 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 208-8482P
- Fabrikantnummer:
- CSD18543Q3A
- Fabrikant:
- Texas Instruments
Specificaties
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Texas Instruments | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | NexFET | |
| Package Type | VSONP | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.2mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 11.1nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 66W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 0.9mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 3.25mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Texas Instruments | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series NexFET | ||
Package Type VSONP | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.2mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11.1nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 66W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 0.9mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 3.25mm | ||
Automotive Standard No | ||
-
-
Gerelateerde Links
- Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin VSONP
- Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin VSONP CSD18543Q3A
- Texas Instruments Single NexFET 1 Type N 100 A 8-Pin VSONP CSD18563Q5A
- Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin VSONP
- Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin VSONP
- Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin VSONP
- Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET 16 V Enhancement, 8-Pin VSONP
- Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin VSONP CSD19534Q5A