STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 10 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD12N60DM6

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 9,18

(excl. BTW)

€ 11,11

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 27 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 1,836€ 9,18
50 - 95€ 1,568€ 7,84
100 - 245€ 1,232€ 6,16
250 - 995€ 1,202€ 6,01
1000 +€ 0,888€ 4,44

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
210-8740
Fabrikantnummer:
STD12N60DM6
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

10A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

390mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

90W

Forward Voltage Vf

1.6V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

17nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

2.4mm

Standards/Approvals

No

Width

6.2 mm

Length

6.6mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the Mesh DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous Mesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Fast-recovery body diode

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate charge, input capacitance and resistance

100% avalanche tested

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

Gerelateerde Links