Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS7728NH6327XTSA2

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 200 eenheden)*

€ 17,00

(excl. BTW)

€ 20,60

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 74.600 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
200 - 200€ 0,085€ 17,00
400 - 800€ 0,081€ 16,20
1000 - 1800€ 0,078€ 15,60
2000 - 4800€ 0,074€ 14,80
5000 +€ 0,06€ 12,00

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
214-4337
Fabrikantnummer:
BSS7728NH6327XTSA2
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

200mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOT-23

Series

SIPMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

5Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

0.36W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

1.12mm

Length

3.04mm

Width

1.4 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

This Infineon SIPMOS Small signal MOSFETis ideally suited for space-constrained automotive and/or non-automotive applications. They can be found in almost all applications e.g. battery protection, battery charging, LED lighting and so on.

It is Halogen-free according to IEC61249-2-21

Gerelateerde Links