Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 168,00

(excl. BTW)

€ 204,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 72.000 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 - 3000€ 0,056€ 168,00
6000 - 12000€ 0,054€ 162,00
15000 +€ 0,051€ 153,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
214-4336
Fabrikantnummer:
BSS7728NH6327XTSA2
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

200mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOT-23

Series

SIPMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

5Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1nC

Maximum Power Dissipation Pd

0.36W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.12mm

Length

3.04mm

Width

1.4 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

This Infineon SIPMOS Small signal MOSFETis ideally suited for space-constrained automotive and/or non-automotive applications. They can be found in almost all applications e.g. battery protection, battery charging, LED lighting and so on.

It is Halogen-free according to IEC61249-2-21

Gerelateerde Links