Infineon OptiMOS -T2 Type N-Channel MOSFET, 120 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB120N08S403ATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 31,38

(excl. BTW)

€ 37,97

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 220 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 5€ 6,276€ 31,38
10 - 20€ 5,65€ 28,25
25 - 45€ 5,272€ 26,36
50 - 120€ 4,896€ 24,48
125 +€ 4,582€ 22,91

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
214-4366
Fabrikantnummer:
IPB120N08S403ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

OptiMOS -T2

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

278W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

128nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

9.27 mm

Length

10.02mm

Height

4.5mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

This Infineon OptiMOS T2 MOSFET is 100% Avalanche tested and is RoHS compliant.

It is AEC Q101 qualified

Gerelateerde Links