Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB120N06S4H1ATMA2

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 15,84

(excl. BTW)

€ 19,165

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 950 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 +€ 3,168€ 15,84

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
218-3033
Fabrikantnummer:
IPB120N06S4H1ATMA2
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-263

Series

OptiMOS-T2

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS™-T2 series N-channel power MOSFET. It has low switching and conduction power losses for high thermal efficiency.

N-channel - Enhancement mode

175°C operating temperature

100% Avalanche tested

Gerelateerde Links