Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 21 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 1.077,50

(excl. BTW)

€ 1.305,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 10.000 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 +€ 0,431€ 1.077,50

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
214-4380
Fabrikantnummer:
IPD530N15N3GATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Series

OptiMOS 3

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

53mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8.7nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

68W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

6.65mm

Width

6.42 mm

Height

2.35mm

Automotive Standard

No

This Infineon OptiMOS 3 MOSFET is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. It is qualified according to JEDEC for target application

It is Halogen-free according to IEC61249-2-21

Gerelateerde Links