Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 1.877,50

(excl. BTW)

€ 2.272,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 2.500 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 +€ 0,751€ 1.877,50

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
214-9027
Fabrikantnummer:
IPD082N10N3GATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

80A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

OptiMOS 3

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

8.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

42nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

6.73mm

Height

2.41mm

Width

6.22 mm

Automotive Standard

No

The Infineon 100V OptiMOS power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and FOM (figure of merit). Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. Potential Applications includes Class D audio amplifiers, Isolated DC-DC converters etc.

It has 175 °C operating temperature

Qualified according to JEDEC for target applications

Gerelateerde Links