Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 21 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD530N15N3GATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 15 eenheden)*

€ 11,925

(excl. BTW)

€ 14,43

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 11.460 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
15 - 60€ 0,795€ 11,93
75 - 135€ 0,755€ 11,33
150 - 360€ 0,722€ 10,83
375 - 735€ 0,692€ 10,38
750 +€ 0,644€ 9,66

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
214-4381
Fabrikantnummer:
IPD530N15N3GATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Series

OptiMOS 3

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

53mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8.7nC

Maximum Power Dissipation Pd

68W

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.65mm

Height

2.35mm

Width

6.42 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

This Infineon OptiMOS 3 MOSFET is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. It is qualified according to JEDEC for target application

It is Halogen-free according to IEC61249-2-21

Gerelateerde Links