Infineon OptiMOS-T Type N-Channel MOSFET, 70 A, 120 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD70N12S311ATMA1

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 11,62

(excl. BTW)

€ 14,06

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 19.620 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 +€ 1,162€ 11,62

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
214-4390
Fabrikantnummer:
IPD70N12S311ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

70A

Maximum Drain Source Voltage Vds

120V

Series

OptiMOS-T

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

11.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

6.42 mm

Standards/Approvals

No

Height

2.35mm

Length

6.65mm

Automotive Standard

AEC-Q101

This Infineon OptiMOS MOSFET is suitable for automotive applications and it is 100% Avalanche tested.

It is Halogen-free according to IEC61249-2-21

Gerelateerde Links