Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET & Diode, 70 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 1.357,50

(excl. BTW)

€ 1.642,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 2.500 stuk(s) vanaf 19 februari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 +€ 0,543€ 1.357,50

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
220-7410
Fabrikantnummer:
IPD70P04P4L08ATMA2
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET & Diode

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

70A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-252

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

75W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

5 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

71nC

Forward Voltage Vf

-1.3V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Height

2.41mm

Length

6.73mm

Width

6.22 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon offers a wide portfolio of P-channel automotive power MOSFET in DPAK, D2PAK, TO220, TO262 and SO8 package with the technology of OptiMOS -P2 and Gen5.

P-channel - Logic Level - Enhancement mode

No charge pump required for high side drive.

Simple interface drive circuit

World's lowest RDSon at 40V

Highest current capability

Lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency

Gerelateerde Links