Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 3.9 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 1.230,00

(excl. BTW)

€ 1.487,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 2.500 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 +€ 0,492€ 1.230,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
214-4395
Fabrikantnummer:
IPD80R1K4CEATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

3.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

CoolMOS CE

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

63W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

2.35mm

Length

6.65mm

Standards/Approvals

No

Width

6.42 mm

Automotive Standard

No

This Infineon 800V Cool MOS CE MOSFET has high voltage capability that combines safety with performance and ruggedness to allow stable designs at highest efficiency level.

It is RoHS compliant

Gerelateerde Links