Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 3.9 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R1K4CEATMA1

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 15 eenheden)*

€ 11,475

(excl. BTW)

€ 13,89

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 4.980 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
15 +€ 0,765€ 11,48

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
214-4396
Fabrikantnummer:
IPD80R1K4CEATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-252

Series

CoolMOS CE

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

63W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.65mm

Height

2.35mm

Width

6.42 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

This Infineon 800V Cool MOS CE MOSFET has high voltage capability that combines safety with performance and ruggedness to allow stable designs at highest efficiency level.

It is RoHS compliant

Gerelateerde Links