Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 48 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R060P7XKSA1

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 30,54

(excl. BTW)

€ 36,955

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 500 stuk(s) vanaf 01 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 +€ 6,108€ 30,54

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
214-4414
Fabrikantnummer:
IPP60R060P7XKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

48A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-220

Series

600V CoolMOS P7

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

60mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

67nC

Maximum Power Dissipation Pd

164W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.2mm

Standards/Approvals

No

Height

4.4mm

Automotive Standard

No

This Infineon 600V Cool MOS P7 super junction MOSFET continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the Cool MOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

It has rugged body diode

Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.