Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 180 A, 40 V, 3-Pin TO-263

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 800 eenheden)*

€ 692,00

(excl. BTW)

€ 837,60

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 2.400 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
800 - 800€ 0,865€ 692,00
1600 +€ 0,844€ 675,20

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
214-4441
Fabrikantnummer:
IRF1404ZSTRLPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-263

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.7mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

200W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

150nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche

It is lead-free

Gerelateerde Links