Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 82 A, 75 V, 3-Pin TO-263 IRF2807STRLPBF

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 14,76

(excl. BTW)

€ 17,86

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 850 stuk(s) vanaf 29 december 2025
  • Plus verzending 2.550 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 40€ 1,476€ 14,76
50 - 90€ 1,403€ 14,03
100 - 240€ 1,343€ 13,43
250 - 490€ 1,284€ 12,84
500 +€ 1,195€ 11,95

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
214-4444
Fabrikantnummer:
IRF2807STRLPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

82A

Maximum Drain Source Voltage Vds

75V

Package Type

TO-263

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

13mΩ

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

230W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

160nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

304-39-413

This Infineon HEXFET Power MOSFET utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design provides reliable and efficient device

It is fully avalanche rated

Gerelateerde Links