Fabrikantnummer

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 82 A, 75 V, 3-Pin TO-263 IRF2807STRLPBF

RS-stocknr.:: 214-4444
Artikelnummer Distrelec:: 304-39-413
Fabrikantnummer:: IRF2807STRLPBF
Fabrikant:: Infineon

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 82 A, 75 V, 3-Pin TO-263 IRF2807STRLPBF

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 16,20

(excl. BTW)

€ 19,60

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Op voorraad

770 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Plus verzending 890 stuk(s) vanaf 23 september 2026

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk	Per verpakking*
10 - 40	€ 1,62	€ 16,20
50 - 90	€ 1,54	€ 15,40
100 - 240	€ 1,475	€ 14,75
250 - 490	€ 1,41	€ 14,10
500 +	€ 1,313	€ 13,13

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 214-4444
Artikelnummer Distrelec:: 304-39-413
Fabrikantnummer:: IRF2807STRLPBF
Fabrikant:: Infineon

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	82A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	75V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	13mΩ
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	160nC
	Maximum Power Dissipation Pd	230W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 82A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 75V
	Series HEXFET
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 13mΩ
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 160nC
	Maximum Power Dissipation Pd 230W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF2807STRLPBF

This Infineon HEXFET Power MOSFET utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design provides reliable and efficient device

It is fully avalanche rated

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.