Fabrikantnummer

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 82 A, 75 V, 3-Pin TO-263

RS-stocknr.:: 214-4443
Fabrikantnummer:: IRF2807STRLPBF
Fabrikant:: Infineon

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 82 A, 75 V, 3-Pin TO-263

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 rol van 800 eenheden)*

€ 627,20

(excl. BTW)

€ 759,20

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Op voorraad

800 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk	Per rol*
800 - 800	€ 0,784	€ 627,20
1600 +	€ 0,744	€ 595,20

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 214-4443
Fabrikantnummer:: IRF2807STRLPBF
Fabrikant:: Infineon

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	82A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	75V
	Package Type	TO-263
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	13mΩ
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	230W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	160nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 82A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 75V
	Package Type TO-263
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 13mΩ
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 230W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 160nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF2807STRLPBF

This Infineon HEXFET Power MOSFET utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design provides reliable and efficient device

It is fully avalanche rated

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.