Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 170 A, 75 V, 3-Pin TO-263 IRF2907ZSTRLPBF

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 15,36

(excl. BTW)

€ 18,585

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 3.155 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 +€ 3,072€ 15,36

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
214-4446
Fabrikantnummer:
IRF2907ZSTRLPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

170A

Maximum Drain Source Voltage Vds

75V

Series

HEXFET

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.5mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

270nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

This Infineon HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. It has fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.

It is Lead-free

It is capable of being wave soldered

Gerelateerde Links