Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 170 A, 75 V, 3-Pin TO-263 IRFS3207ZTRRPBF
- RS-stocknr.:
- 217-2632
- Fabrikantnummer:
- IRFS3207ZTRRPBF
- Fabrikant:
- Infineon
Bulkkorting beschikbaar
Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*
€ 21,36
(excl. BTW)
€ 25,845
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 75,00
Tijdelijk niet op voorraad
- Verzending vanaf 18 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per verpakking* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 4,272 | € 21,36 |
| 25 - 45 | € 3,588 | € 17,94 |
| 50 - 120 | € 3,374 | € 16,87 |
| 125 - 245 | € 3,16 | € 15,80 |
| 250 + | € 2,906 | € 14,53 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 217-2632
- Fabrikantnummer:
- IRFS3207ZTRRPBF
- Fabrikant:
- Infineon
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 170A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.1mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 170nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 300W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 9.65mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.83 mm | |
| Length | 10.67mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 170A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.1mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 170nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 300W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 9.65mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.83 mm | ||
Length 10.67mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package.
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
Lead-Free
RoHS Compliant, Halogen-Free
Gerelateerde Links
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V, 3-Pin TO-263 IRF2907ZSTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V TO-220 IRF2907ZPBF