Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 110 A, 55 V, 3-Pin TO-262 IRF3205ZLPBF

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 16,86

(excl. BTW)

€ 20,40

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 5.250 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 40€ 1,686€ 16,86
50 - 90€ 1,602€ 16,02
100 - 240€ 1,534€ 15,34
250 - 490€ 1,467€ 14,67
500 +€ 1,366€ 13,66

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
214-4448
Fabrikantnummer:
IRF3205ZLPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

110A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Series

HEXFET

Package Type

TO-262

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.5mΩ

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

170W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

110nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche

It is lead-free

Gerelateerde Links