Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 10 A, 100 V, 3-Pin TO-263

Momenteel niet beschikbaar
We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.
RS-stocknr.:
214-4469
Fabrikantnummer:
IRL520NSTRLPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

10A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-263

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

180mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

This Infineon HEXFET Power MOSFET utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design provides reliable and efficient device

It is fully avalanche rated

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.