Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 2 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SPD02N80C3ATMA1

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 15 eenheden)*

€ 10,17

(excl. BTW)

€ 12,30

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 2.355 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
15 +€ 0,678€ 10,17

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
214-4479
Fabrikantnummer:
SPD02N80C3ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-252

Series

CoolMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.7Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

16nC

Maximum Power Dissipation Pd

42W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

JEDEC1

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

304-39-428

This Infineon Cool MOS MOSFET uses new revolutionary high voltage technology and has high peak current capability.

It has ultra low gate charge

Gerelateerde Links